レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

Resist material and method for forming pattern using the same

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist material having high sensitivity and high resolution to high energy-beam exposure, small line-edge roughness because of controlled swelling at the time of development, small residual dross after development, excellent dry etching resistance, and suitably usable also for liquid immersion lithography, and provide a method for forming patterns by using the resist material. <P>SOLUTION: This resist material uses a polymer compound comprising at least a repeating unit of formula (a) containing a naphthalene ring having a specific oxygen-containing substituent on a side chain, and a repeating unit of formula (b) having a specific sulfonium salt group on a side chain, as indispensable units, and thereby, high dry etching resistance is achieved. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
【課題】レジスト材料であって、高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が抑えられるためラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少なく、優れたドライエッチング耐性を有し、また、液浸リソグラフィーにも好適に用い得るレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 【解決手段】少なくとも、特定の酸素含有置換基を有するナフタレン環を側鎖に含む繰り返し単位(a)及び特定のスルホニウム塩基を側鎖に有する繰り返し単位(b)を必須単位として含む高分子化合物をレジスト材料として使用することで高いドライエッチング耐性が得られる。 【選択図】なし

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